@TiezhuCrypto @blanplan 你这话说的没啥营养了，现在中芯的先进制程都有可能被断的前提下何来的 euv，这次没带黄仁勋足见制程和半导体是不可谈的
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这里面其实有俩问题：长鑫在Dram层面的技术，没有长江存储在Nand领域的技术领先，如果放开设备管控，长江在NAND领域很快就能干翻三星之流，长鑫还差点。
1）大概2024年前后，长鑫的Dram差不多才到18.5nm，目前最多也就到15nm，同等时期海力士/三星差不多已经到10nm深水区了，接近物理极限。更不用谈以HBM这样3D堆叠为代表的高性能存储。
2）Nand领域，3D堆叠技术，长江完全不输海力士/三星。技术路线相当牛逼，只不过苦于没有EUV和好的刻蚀设备，现有的设备即便能做到300层往上，良率也很低。
EUV的重要性就在这里体现，因为随着芯片的物理极限缩小，基本在光刻阶段要多重曝光。
目前的替代方案是用浸润式DUV进行多重曝光，即便如此，DUV的光源最多单次也只能打到40nm左右，EUV单次最低能干到13nm。这就是差距。如果High-NA的EUV，甚至低于10nm。
其次比如说高深宽比的刻蚀机。国内独苗就是中微，大体能极限做到90层，但应该还没有量产，同期的Lam（泛林半导体）和Tel（东京电子）至少能做到300层往上，目前差不多都在做400层以上的稳定量产。
单台EUV（LoW-NA）1.5亿美金起步，单台极高深宽比刻蚀机最低也在5000万美金起步。
只能说，中低端或者部分高端，在长江和长鑫这里优势会越发明显，客观来说Nand的价格战也是长江最先打起来的，三星和海力士也不得不转向高端，并寄希望美国的封锁能持续下去。
否则只要设备和材料端，国内一突破，价格战将是海啸级别的。
𝙃𝘼𝙕𝙀𝙉𝙇𝙀𝙀@hazenlee
长期缺存储就是放屁 只要长江长鑫产能爬坡完毕 三年内存储烂大街 什么几把海力士最后的出货机会 涨价去库存这招屡见不鲜 一涨什么都对了 你就使劲儿接盘
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