エレファンテック株式会社

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東京 中央区 Katılım Eylül 2015
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エレファンテックは、無加圧ダイアタッチに対応した「SAphire™ D02」の開発を発表しました。 本技術はダイアタッチだけでなく、接合面積が大きく均一加圧が難しいTIM用途においても無加圧焼結の適用を可能にし、両用途における量産適用性の拡大が期待されます。 🚀コメント欄のURLをご覧ください。
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【プレスリリース】エレファンテック、無加圧接合に対応したパワー半導体向け接合材SAphire™ D02を開発 加圧低温接合に続いて無加圧低温接合を実現し、プロセス自由度を向上 elephantech.com/news/press_rel…
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エレファンテックは、無加圧ダイアタッチに対応した「SAphire™ D02」の開発を発表しました。 本技術はダイアタッチだけでなく、接合面積が大きく均一加圧が難しいTIM用途においても無加圧焼結の適用を可能にし、両用途における量産適用性の拡大が期待されます。 🚀コメント欄のURLをご覧ください。
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🚀エレファンテックは、独自の自己組織化銅ナノ粒子(SA-CuNP)技術を用いた、ガラス基板貫通ビア(TGV:Through-Glass Via)フィル用銅ナノペースト SAphire™ Gを開発しました! 詳しくはコメント欄へ👇
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【SusHi Tech Tokyo 2026 登壇🚀】本日、当社 Chief of Staff 坂元がピッチを行いました!エレファンテックが取り組む、AI半導体業界の課題解決に向けた独自のアプローチについて発表・ピッチを行いました。 ⚡️会場の皆様からも熱心な視線をいただき有意義な機会となりました。 #SusHiTechTokyo2026
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エレファンテックは半導体3D集積向けのシード層形成ソリューション「DeepVia™ Silicon」の開発を発表します。 独自開発の15nmクラス 銅ナノ粒子とインクジェット印刷を組み合わせ、従来のPVD(スパッタリング)では成膜が困難だった高アスペクト比ビアの内壁に均一なCuシード層を形成します。 詳細👇
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『エレファンテック、AIサーバ基板向け高アスペクトマイクロビア導電化ソリューションDeepVia™ HDIを開発 – AR3以上の超高アスペクトビアも実現し、AIコンピューティングを加速 –』 elephantech.com/news/press_rel…
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🚀【プレスリリース】エレファンテックは、この度、銅ナノ粒子インクとインクジェット印刷装置を用いた、高アスペクト比のマイクロビア導電化手法を開発しました。 詳しくは、コメント欄のURLからご覧ください! #AI #ServerBoard #Elephantech #DeepVia
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🚀エレファンテックは、銅ナノ粒子インクとインクジェット印刷装置を用いた、高アスペクト比のマイクロビア導電化手法を開発しました! AR3以上の超高アスペクトビアも実現し、AIコンピューティングを加速!詳しくは、コメント欄へ🛸
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🗼【登壇情報】🗼 2026年4月28日(火)に SusHi Tech Tokyo 2026 にて、当社Chief of Staffの坂元が発表を行います。 PresentationとPitchの両ステージにて、AI半導体業界が直面する課題に対する当社独自のアプローチをご紹介します。皆さまのご参加をお待ちしております。 詳細はコメント欄へ👇
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【Meet the People of Elephantech #6】 無数のモジュールを統合し1台の装置として動かす。 日々変化する仕様と向き合いながら 「できない」ではなく「どうやったらできるか」を考え続けるーー制御エンジニアが、インクジェット印刷装置のインテグレーションの最前線を語ります。 詳細は👇
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ポスターセッションにて、多くの方々にご興味をお寄せいただいております!皆様との対話を通じて、たくさんの刺激をいただいています。 引き続き、皆様のご来訪を心よりお待ちしております!
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【Meet the People of Elephantech #5】 インクジェット装置のメカ設計をゼロから担うリーダーに聞く、スタートアップのモノづくりのリアル。 構想設計から3Dモデル、組立、評価まで一気通貫で携わる日々。「既存の枠組みがないからこそ面白い」原理原則を追求するエンジニアの仕事観をお届けします。
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📢ICEP 2026(広島)に、ダイヤモンドスポンサーとして協賛・出展します。 発表したばかりのパワー半導体向け接合材「SAphire™ D」や、先端パッケージング向け高精度インクジェット装置「ELP04」シリーズによる各種サンプルを展示します。ぜひお立ち寄りください! 詳しくは、コメント欄へ👉
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