Morca_Liu｜市场观察員：

很多人知道中微做刻蚀设备，但不太清楚CCP、ICP、LPCVD、ALD分别是什么。简单聊一下。 刻蚀是把材料去掉，薄膜沉积是把材料加上去。芯片制造就是在这两个动作之间反复循环，制程越先进，循环次数越多，精度要求越高。 CCP，电容耦合等离子体刻蚀，两块平行电极板之间产生等离子体，离子能量高，专门刻介质材料。3D NAND里那些又深又窄的沟槽主要靠CCP，中微Q1报出的90:1超高深宽比就是CCP的活。ICP，电感耦合等离子体刻蚀，用线圈产生等离子体，能量相对柔，适合刻金属和硅，逻辑芯片的栅极、接触孔这些精细活归ICP管。140:1的3D DRAM深宽比就是ICP的成绩。 LPCVD，低压化学气相沉积，在晶圆表面镀一层均匀的薄膜。ALD，原子层沉积，一层原子一层原子地往上镀，精度到埃级别，GAA架构那种纳米级多层堆叠只有ALD能做到。 中微从CCP起家，现在同时推ICP、LPCVD、ALD，本质上是往平台化方向走。

上一条聊了中微Q1的工艺验证进展，这条说说差距。触到先进制程的边界和站稳是两回事。 逻辑刻蚀这条线，差距已经很小了。CCP设备覆盖了28nm以上绝大部分应用，在7nm、5nm节点上已经进了全球顶级客户的量产线，CCP加ICP合计覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求。跟泛林、东京电子的差距，主要不在"能不能做"，在工艺配方积累的深度和客户端验证的广度。 结构性短板有三个。一是ICP设备在最复杂的关键工艺步骤上还没全部拿下，进了产线和拿下全部关键步骤是两回事。二是平台化能力，泛林和应用材料卖的是刻蚀+沉积+清洗的打包方案，中微目前还在从单一刻蚀往"刻蚀+薄膜沉积"的组合方向走，LPCVD和ALD刚开始放量。三是基础性、原创性专利偏少，专利组合的深度和广度跟美国比还有明显差距。 真正的分水岭在3nm及以下的GAA架构。GAA相比FinFET的刻蚀工艺步骤从5道增加到9道，刻蚀设备的用量占比从20%上升到35%。中微在这个节点上有没有成熟的量产验证方案，公开信息里还看不到。5nm站稳了，3nm/GAA能不能接住，决定了中微到底是"国内龙头"还是"全球第一梯队"。

中微公司的刻蚀设备开始触到先进制程的边界了。 两个工艺验证节点值得关注。90:1超高深宽比低温CCP刻蚀设备已经交付客户端验证，给下一代逻辑和存储芯片用的。第二代ICP刻蚀设备Primo Angova在3D DRAM场景跑出140:1的深宽比，已经付运到国内领先存储客户。这两个数字说明中微在先进刻蚀工艺上的能力边界确实在往外推，LPCVD、ALD、介质薄膜设备也陆续进入市场，平台化布局开始有实质产出了。 Q1毛利率39.9%，环比改善0.6个百分点，同比下降1.6个百分点，主要是新产品客户端验证的一次性成本。换个角度看，技术突破期愿意投验证成本，说明手上有东西可以往客户端推。等这轮验证周期过去，规模效应起来，利润率有向上空间。Q1营收29.15亿元，同比增长34%，扣非净利润4.78亿元，同比增长60%，增长质量不差。 Q1末存货73亿元小幅上升，订单稳健。公司作为国内刻蚀设备龙头，先进存储和先进逻辑的扩产周期里，国产化率提升这条线的确定性很高。当前股价352元，对应2027年约38倍PE，如果平台化能力持续兑现，这个估值还有重估空间。