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kkndeme
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kkndeme
@hiddenbxy
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가입일 Ağustos 2021
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Plasma One 身份证开卡教程来了
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#港美互联网LOF
川沐@xiaomustock 错误的估计了港美互联网LOF的持仓股,如果买入将造成巨额亏损
港美不是非封闭基金,基金经理可以随时随意调仓。最新公布的含有美光闪迪台积电的持仓是3.31日的持仓,而非现在的
港美在5.27净值仅涨2%,而那天美光涨了20%。因此基金经理已经调仓 港美成分已没有存储



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@shibcq @xiaomustock 你可以看下他每个季度公布的持仓披露,每次差距都非常大,存储是这次刚加的。川沐买这个是感觉能吃溢价。我感觉其实不如直接买dram这种。
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@hiddenbxy @xiaomustock 基金管的钱越多他们赚钱越多,瞎变仓只会迎来抛售,就算变也不会变太多,第二个,这只存储只占了18%,中韩可是三星海力士加起来占了30以上,不是什么纯粹存储股 ,不过我自己依旧买了一百二十个的港美,持续看好。

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@hiddenbxy @xiaomustock 额。。。不是我说,你可能对这方面不了解?场外申购之后换汇要一周时间,5.27之前的申购也很多,基金经理根本来不及把现金转换到持仓里,包括上周四上周五新申购的份额也来不及买入,等于现在手里捏着大把现金还没来得及持仓呢,那持仓股的涨幅如何吃到?这是常识。
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#港美互联网LOF
对于港美这类海外资产基金,川沐@xiaomustock 完全搞错了溢价率的计算公式。
券商平台的溢价率=场内价格/最新净值-1
但是最新净值都是两天前的。
所以在高波动情况下,溢价来自时间的错位统计而非真实资产溢价。
看券商app显示的溢价完全是误导!
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长鑫存储扩产的设备供应链全景
长鑫现在合肥两座、北京一座,三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能,二厂8万片,北京厂7万片,加起来接近30万片,全部满产。两年涨了三倍,2024年初差不多10万片,2025年底冲到28到30万,2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%,但按销售额算只有3.97%,片数堆上来了,单价还在追赶。
工艺端,G4在16纳米已经量产,DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米,2026年底量产。HBM2去年下半年就上了,比外界预期提前两年,主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来,目标月产6万片,约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接,2026年底投产。
产能还在继续扩。上海新厂分两期,Phase 1产能10万片,2027年初量产,Phase 2同样10万片,2028年初量产。加上现有的30万片,远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线,专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X,2026年下半年开始全面量产。
IPO募资295亿,DRAM技术升级拿了130亿,量产线升级75亿,前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单,叠加2024年712亿的存量Capex节奏,是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。
长鑫正在进行的大规模扩产,设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。
光刻是最大的对外依赖,国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di,每小时出275片,覆盖到16纳米节点,目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上,每小时295片,2023年9月起要许可证,2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法,275到295片是1980Di到2050i的代际跳变,不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走,这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关,光刻这一环短期无解。
刻蚀占设备投资25到30%,是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%,中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比,专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺,孔洞必须互相平行规整,任何偏差直接砸良率,Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。
薄膜沉积占约25%,品类分得细。PECVD做绝缘层,PVD做金属互连,ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线,北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备,应用材料和ASM的位置很难动,拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些,ALD最低。
CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额,12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅,6抛光盘架构是国际首创,效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。
清洗国产化率30到40%,盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%,北方华创立式氧化炉打头,激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%,跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。
最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数,KLA全球占51到54%,精测电子进了长鑫12英寸产线,中科飞测也在部分环节往里切,但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%,东京电子在大陆市占超过90%,芯源微是唯一量产替代,目前只在封装端站住了,前道关键层还进不去。离子注入同样个位数,万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节,也是短期内最动不了的三个环节。
长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%,目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%,但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈,DRAM要正面硬刚,结构性差异,跟意愿无关。
外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案,路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility,禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口,禁止盟国为既有设备提供维保,要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过,NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单,但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。
45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路,海外设备保良率,国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点,对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能,加上现有产线的持续技术升级,未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。
从更长的时间尺度看,长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点,整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径,薄膜沉积和清洗正在跟进,量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来,国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。
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