Strider/acc

Yes I’m still very bullish on SPX and SMH for the whole year. But I think in the next 1-2 weeks, SPX will form a bull trap. The reason is simple: The straits wouldn’t reopen as fast as the market expected. Also June’s 1st half has so many macro events which would cause big uncertainty. I would reduce my leverage and exposure in beta during this bull trap and buying any dips in June’s 1st half. Also if short end CL/BRN has a huge dip, I will buy it and also long XLE/OIH/XES.

为何会提出光互连解决当前HBM封装的极限？ 最本质的原因是：我们正在一步步接近HBM封装的极限。 一、物理规律的极限被逐渐触及： 极限1️⃣：垂直堆叠层数——已触顶 HBM的堆叠演进：HBM2（8层）→ HBM2E（8层）→ HBM3（12层）→ HBM3E（12/16层）→ HBM4（计划16–20层）。 每多叠一层，TSV（硅穿孔）的深宽比就要提高。目前16层的TSV深宽比约为20:1，这是电镀铜填充工艺的极限边缘——再往上，铜填充时气泡无法逸出，良率断崖式下跌。 更深的问题是热阻叠加。每层DRAM die的导热路径要穿越所有下层芯片才能到达散热器。12层堆叠时底层die的结温（junction temperature）比顶层高约15°C，20层时这个差距会超过25°C，已经超过DRAM工作安全边界。 这都导向一个事实——垂直方向的物理扩展空间已所剩无几。 极限②：硅中介层岸线——已触顶 GPU的「岸线」（shoreline）是GPU die四周边缘的物理周长。HBM堆栈通过硅中介层与GPU并排，HBM的数量上限就是：GPU周长能容纳多少个HBM接口宽度。 假设GPU die最终做到一个reticle极限，周长约为130mm，单个HBM4堆栈接口约需4mm，理论上限约为32个堆栈——但实际上电源/信号走线、角落利用率等因素会把这个数字压到16–20个以内。 极限③：带宽密度（单位面积IO数）——接近极限 Microbump的物理极限大约在25–30μm pitch，低于这个数字，焊锡球的表面张力和对准精度无法维持量产良率。 极限④：功耗密度——这是最被低估的极限 HBM3E每栈满载功耗约15W，8栈就是120W，加上GPU本身的600–700W，整个封装的功耗密度已经超过100 W/cm²，相当于火箭发动机喷口附近的热流密度。 散热才是最硬的物理墙。 HBM越叠越高，散热路径越长，这是垂直堆叠无法回避的热阻叠加问题，与材料科学的边界直接碰撞。 ————————————————————————— 二、光连接的解法 电信号传输本质上是在用「极短距离」这个物理条件换取优势。 光的优势恰好在电的弱点处显现——光信号的带宽与距离几乎无关。当GPU与HBM的物理间距被迫增加，光互连的相对优势就从「理论上可行」变成「工程上合理」。 ————————————————————————— 三、目前技术架构的可能形态 方案A：光学Bridge芯片 在硅中介层中嵌入硅光子波导层，GPU与HBM之间的信号不再走铜线，而是走片内波导。距离仍在毫米级，但打破了「必须紧邻」的约束，允许HBM在中介层上远离GPU边缘排列。 这是Ayar Labs（与Intel合作）的TeraPHY路线，已在2024年实现单chiplet 2Tbps光I/O，且可3D堆叠于逻辑芯片下方。 方案B：CXL over Optics（推理情况不合适） 将多个HBM堆栈聚合为独立的记忆体池模块，通过CXL协议与GPU通信。距离可达几厘米至数十厘米，直接接入背板。这不是HBM专属光互连，而是把HBM变成CXL记忆体节点。 延迟代价：每次E→O→O→E转换约增加5–10ns，相对于DRAM本身的~150ns访问延迟，约增加3–7%，在大模型训练的流式访问模式下可接受，但推理场景（延迟敏感）会更在意。 方案C：3D光学垂直互连（最激进） 将HBM置于GPU正下方，利用垂直光学通孔（Optical Through-Silicon Vias，OTSV） 实现Z轴方向的光互连。这在理论上消灭了岸线限制（HBM直接在GPU下方大面积铺展），同时保持极短传输距离。 方案D：光子织网 把光子互连fabric做成一个独立的2D芯片层，像三明治一样插在GPU和HBM（或其他加速器）之间，所有芯片通过这层光子层通信。它并不限定是HBM，而是一个通用的光互连基板。 ————————————————————————— 四、这个方案的难点：激光源 这是目前工程界最头疼的问题。 硅不能发光。硅光子可以导光、调制光、探测光，但无法产生光。今天所有硅光子方案的激光源都是III-V族化合物半导体（InP、GaAs基材料），需要外置激光器，通过fiber coupling耦合进硅波导。 这带来： 可靠性问题：激光器是光互连系统中寿命最短的组件 良率问题：光纤与波导的耦合对准精度要求亚微米级，大规模封装良率极低 成本问题：III-V激光器目前仍比硅便宜不了多少，难以摊薄 功耗问题：激光源本身的电光转换效率约30–40%，是额外的能耗来源 ———————————————————————— 五、解决路径： 1️⃣直接在硅上外延生长III-V材料 Intel、MIT林肯实验室、UCSB都在研究，但良率与可靠性尚未达到量产标准。 2️⃣另一条路是量子点激光器直接长在硅上，理论上可行但仍是实验室阶段。 AXT（AXTI）的潜在价值就在这里——其磷化铟（InP）基片是高性能光互连激光器的关键衬底材料，这条需求链条目前仍处于早期。 ———————————————————————— 六、时间线 2026–2027：板级CPO（GPU与光引擎共封装）进入量产，主要用于scale-out网络，不直接涉及HBM 2027–2029：光学Bridge方案开始进入高端AI加速器概念验证，HBM可能扩展至更远位置但仍在同一封装内 2029–2032：CXL over Optics的记忆体池化开始规模部署，HBM功能性分离 2032+：真正意义上GPU-HBM光互连作为标准封装方案，仍存在不确定性

哈哈，这些收盘卖的傻逼们，感谢你们交出的筹码，今天正股补了两千股。 期待明天六🪳最后一只MRVL。

特殊作戦群🇯🇵in SOF week

米軍SOCOM、NAS3や5.56 MAXなどの高圧弾薬に耐えうるM4アッパーをURGIの後継として計画、複数のメーカーから案を募って試験中との噂

現在投什麼: 現在的chokepoint和部分軟件 第一波, 儲存 . 但中國開始做到DDR5了, 各廠商有擴產經驗 第二波, 光通訊. 光通訊產業持續迭代, CPO, 1.6T/3.2T. 加上擴產經驗不足, 例如InP, 封測, 檢測, coupling. 軟件逆轉:之前long sermi, 無腦做空IGV. 投資方面要避開被AI取代的($SNOW, $PLTR, $ORCL)